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Datasheet > 晶体管 > 其他晶体管> 2SA1013-Y-B
2SA1013-Y-B PDF预览

2SA1013-Y-B

更新时间： 2024-11-12 13:04:07
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 102K
描述
Transistor

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2SA1013-Y-B 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Obsolete
包装说明：,Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.92Is Samacsys：N
JESD-609代码：e0端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches：1

2SA1013-Y-B 数据手册

 浏览型号2SA1013-Y-B的Datasheet PDF文件第2页 
M C C  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
2SA1013-R  
2SA1013-O  
2SA1013-Y  
TM  
Micro Commercial Components  
Features  
•
Lead Free Finish/Rohs Compliant ("P"Suffix designates  
Compliant. See ordering information)  
•
•
•
•
x
Capable of 0.9Watts of Power Dissipation.  
PNP  
Epitaxial Silicon  
Transistor  
Collector-current -1.0A  
Collector-base Voltage -160V  
Operating and storage junction temperature range: -55R to +150R  
Case Material: Molded Plastic. UL Flammability  
Classification Rating 94V-0 and MSL rating 1  
O
Electrical Characteristics @ 25 C Unless Otherwise Specified  
TO-92MOD  
Symbol  
Parameter  
Min  
Max  
Units  
OFF CHARACTERISTICS  
V(BR)CEO  
V(BR)CBO  
V(BR)EBO  
ICBO  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
(IC=-1.0mAdc, IB=0)  
Collector-Base Breakdown Voltage  
(IC=-100uAdc, IE=0)  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
(IE=-10mAdc, IC=0)  
Collector Cutoff Current  
(VCB=-150Vdc, IE=0)  
-160  
-160  
-6.0  
---  
---  
---  
Vdc  
Vdc  
E
---  
Vdc  
-1.0  
-10  
-1.0  
uAdc  
uAdc  
uAdc  
A
B
C
D
ICEO  
Collector Cutoff Current  
(VCB=-120Vdc, IE=0)  
Emitter Cutoff Current  
---  
IEBO  
---  
(VEB=-6.0Vdc, IC=0)  
ON CHARACTERISTICS  
hFE(1)  
hFE(2)  
VCE(sat)  
VBE  
DC Current Gain  
(IC=-200mAdc, VCE=-5.0Vdc)  
DC Current Gain  
(IC=-50mAdc, VCE=-5.0Vdc)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
(IC=-500mAdc, IB=-50mAdc)  
Base-Emitter Saturation Voltage  
(IC=-5.0mAdc, VCE=-5.0Vdc)  
65  
40  
---  
---  
310  
---  
---  
F
G
1. EMITTER  
2. COLLECTOR  
3. BASE  
---  
123  
H
-1.5  
-0.75  
Vdc  
Vdc  
SMALL-SIGNAL CHARACTERISTICS  
fT  
Transistor Frequency  
(IC=-200mAdc, VCE=-5.0Vdc,  
f=30MHz)  
-15  
---  
MHz  
DIMENSIONS  
MM  
INCHES  
DIM  
A
B
C
D
E
F
G
H
I
MIN  
---  
---  
---  
---  
MAX  
.030  
.039  
.031  
.024  
.201  
MIN  
---  
---  
---  
---  
MAX  
.750  
1.00  
.80  
0.60  
5.10  
NOTE  
CLASSIFICATION OF HFE (1)  
Rank  
Range  
R
O
Y
60-120  
120-200  
200-300  
---  
---  
.050  
.050  
.100  
.039  
1.27  
1.27  
2.54  
1.00  
J
K
L
M
N
---  
---  
---  
---  
---  
.087  
.024  
.323  
.413  
.161  
---  
---  
---  
---  
---  
2.20  
.60  
8.20  
10.50  
4.10  
www.mccsemi.com  
1 of 2  
Revision: 4  
2008/02/01  
12

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与2SA1013-Y-B相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SA1013Y-BP MCC

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 		1000mA, 160V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, PLASTIC, TO-92MOD, 3 PIN
2SA1015 MICRO-ELECTRONICS

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 		PNP SILICON TRANSISTOR
2SA1015 TYSEMI

获取价格

 		High voltage and high current VCEO:=-50V(min.),IC=-150mA(max.) Low niose: NF=1dB(Typ.) at
2SA1015 KEXIN

获取价格

 		PNP Transistor
2SA1015 DCCOM

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 		TECHNICAL SPECIFICATIONS OF PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
2SA1015 UTC

获取价格

 		LOW FREQUENCY PNP AMPLIFIER TRANSISTOR
2SA1015 TGS

获取价格

 		PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
2SA1015 TOSHIBA

获取价格

 		PNP EPITAXIAL TYPE(AUDIO FREQUENCY GENERAL PURPOSE AMPLIFIER, DRIVER STAGE AMPLIFIER)
2SA1015 CJ

获取价格

 		TO-92
2SA1015 LGE

获取价格

 		双极型晶体管

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