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2SA1011

更新时间： 2024-02-29 06:07:47

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4页	150K
描述
Silicon PNP Power Transistors

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2SA1011 技术参数

生命周期：	Obsolete	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.76
最大集电极电流 (IC)：	1.5 A	集电极-发射极最大电压：	160 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	60
JESD-30 代码：	R-PZFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	PNP	功耗环境最大值：	25 W
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	ZIG-ZAG
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	100 MHz	Base Number Matches：	1

2SA1011 数据手册

SavantIC Semiconductor

Product Specification

Silicon PNP Power Transistors

2SA1011

CHARACTERISTICS

Tj=25ꢀ unless otherwise specified

SYMBOL

V_(BR)CEO

V_(BR)CBO

V_(BR)EBO

V_CEsat

V_BE

PARAMETER

CONDITIONS

MIN

-160

-180

-6

TYP.

MAX

UNIT

Collector-emitter breakdown voltage I_C=-10mA ,R_BE=∞

Collector-base breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter voltage

I_C=-1mA; I_E=0

I_E=-1mA; I_C=0

I_C=-0.5A; I_B=-50mA

I_C=-10mA ; V_CE=-5V

V_CB=-120V; I_E=0

-0.5

-1.5

I_CBO

Collector cut-off current

Emitter cut-off current

-10

200

µA

I_EBO

V_EB=-4V; I_C=0

h_FE

DC current gain

I_C=-0.3A ; V_CE=-5V

I_C=-50mA ; V_CE=-10V

I_E=0; f=1MHz ; V_CB=-10V

f_T

Transition frequency

100

MHz

C_ob

Output capacitance

Switching times resistive load

t_on

t_s

Turn-on time

Storage time

Fall time

0.29

0.48

0.19

µs

I_C=-0.5A ;I_B1=-I_B2=-50mA

V_CC=20V; R_L=40Ω

t_f

ꢀ h_FEClassifications

60-120

100-200

123 4

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与2SA1011相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SA1011D	MOSPEC	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 160V V(BR)CEO \| 1.5A I(C) \| TO-220AB	获取价格
2SA1011E	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 160V V(BR)CEO \| 1.5A I(C) \| TO-220AB	获取价格
2SA1011P	SANYO	High-Voltage Switching, AF Power Amp,100W Output Predriver Applications	获取价格
2SA1012	MCC	PNP Plastic-Encapsulate Transistor	获取价格
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