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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 零件包装代码： | TO-252 | 包装说明： | HALOGEN FREE PACKAGE-3 |
| 针数： | 4 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.75 |
| 风险等级： | 5.07 | 最大集电极电流 (IC)： | 5 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 50 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 180 | JEDEC-95代码： | TO-252 |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | PNP | 最大功率耗散 (Abs)： | 25 W |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 60 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SA1012G-R-TN3-T | UTC |
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Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-252, Plastic/ |
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| 2SA1012G-x-TA3-T | UTC |
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HIGH CURRENT SWITCHING APPLICATION |
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| 2SA1012G-x-TF3-T | UTC |
获取价格 |
HIGH CURRENT SWITCHING APPLICATION |
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| 2SA1012G-x-TM3-T | UTC |
获取价格 |
HIGH CURRENT SWITCHING APPLICATION |
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| 2SA1012G-x-TN3-R | UTC |
获取价格 |
HIGH CURRENT SWITCHING APPLICATION |
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| 2SA1012G-x-TN3-T | UTC |
获取价格 |
HIGH CURRENT SWITCHING APPLICATION |
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| 2SA1012G-Y-TA3-T | UTC |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plasti |
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| 2SA1012G-Y-TF3-T | UTC |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plasti |
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| 2SA1012L-O-TA3-R | UTC |
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HIGH CURRENT SWITCHING APPLICATION |
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| 2SA1012L-O-TA3-T | UTC |
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HIGH CURRENT SWITCHING APPLICATION |
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