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2SA1011D

更新时间: 2024-02-23 16:59:02
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统懋 - MOSPEC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 113K
描述
TRANSISTOR | BJT | PNP | 160V V(BR)CEO | 1.5A I(C) | TO-220AB

2SA1011D 技术参数

生命周期:ObsoleteReach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99风险等级:5.76
最大集电极电流 (IC):1.5 A集电极-发射极最大电压:160 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):60
JESD-30 代码:R-PZFM-T3元件数量:1
端子数量:3封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:PNP功耗环境最大值:25 W
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:ZIG-ZAG
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):100 MHzBase Number Matches:1

2SA1011D 数据手册

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A

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