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2N7002V-7

更新时间： 2024-09-16 22:06:19
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 晶体晶体管场效应晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 72K
描述
DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

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2N7002V-7 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete包装说明：GREEN, PLASTIC PACKAGE-6
针数：6Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
风险等级：7.49其他特性：HIGH RELIABILITY
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：0.28 A最大漏极电流 (ID)：0.28 A
最大漏源导通电阻：13.5 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：5 pFJESD-30 代码：R-PDSO-F6
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：2端子数量：6
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：0.15 W
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON

2N7002V-7 数据手册

 浏览型号2N7002V-7的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2N7002V-7的Datasheet PDF文件第3页 
SPICE MODEL: 2N7002V/VA  
2N7002V/VA  
DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT  
MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR  
Features  
·
·
·
·
·
·
·
·
Dual N-Channel MOSFET  
Low On-Resistance  
SOT-563  
Low Gate Threshold Voltage  
Low Input Capacitance  
Dim Min  
Max  
0.30  
1.25  
1.70  
0.50  
1.10  
1.70  
0.60  
0.30  
0.18  
Typ  
0.25  
1.20  
1.60  
A
A
B
C
D
G
H
K
L
0.15  
1.10  
1.55  
Fast Switching Speed  
Low Input/Output Leakage  
B
C
Ultra-Small Surface Mount Package  
Lead Free By Design/RoHS Compliant (Note 3)  
0.90  
1.50  
0.56  
0.10  
0.10  
1.00  
1.60  
0.60  
0.20  
0.11  
D
G
SEE NOTE 1  
Mechanical Data  
M
K
·
·
Case: SOT-563  
M
Case Material: Molded Plastic. UL Flammability  
Classification Rating 94V-0  
H
All Dimensions in mm  
L
·
·
·
Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020C  
Terminals Connections: See Diagram  
D2  
S1  
G1  
D2  
G1  
S1  
Terminals: Finish - Matte Tin annealed over Alloy 42  
leadframe. Solderable per MIL-STD-202, Method 208  
·
·
·
Marking: See Page 2  
G2  
S2  
D1  
S2  
G2  
D1  
Ordering & Date Code Information: See Page 2  
Weight: 0.006 grams (approximate)  
2N7002VA  
(KAY Marking Code)  
2N7002V  
(KAS Marking Code)  
@ TA = 25°C unless otherwise specified  
Symbol  
Maximum Ratings  
Characteristic  
Value  
60  
Units  
VDSS  
VDGR  
V
V
Drain-Source Voltage  
60  
Drain-Gate Voltage RGS £ 1.0MW  
Gate-Source Voltage (Note 3)  
Continuous  
Pulsed  
20  
40  
VGSS  
V
ID  
IDM  
280  
1.5  
mA  
A
Drain Current (Note 3)  
Continuous  
Pulsed  
Drain Current (Note 3)  
Pd  
Total Power Dissipation  
150  
833  
mW  
°C/W  
°C  
RqJA  
Tj, TSTG  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Operating and Storage Temperature Range  
-55 to +150  
Notes: 1. Package is non-polarized. Parts may be on reel in orientation illustrated, 180° rotated, or mixed (both ways).  
2. Device mounted on FR-4 PCB, 1 inch x 0.85 inch x 0.062 inch; pad layout as shown on Diodes Inc. suggested pad layout  
document AP02001, which can be found on our website at http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf.  
3. No purposefully added Lead.  
DS30448 Rev. 3 - 2  
1 of 3  
2N7002V/VA  
www.diodes.com  
ã Diodes Incorporated  
123

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2N7002V-7 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
2N7002VA-7 DIODES

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