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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | , | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.3 | 配置： | Single |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 0.115 A | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-609代码： | e0 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.2 W | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2N7002E9/3K | ETC | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 115MA I(D) | TO-236AB |
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| 2N7002E9/3K-E3 | VISHAY | Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, |
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| 2N7002ELT1 | WILLAS | 310 mAmps, 60 Volts |
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| 2N7002EPT | CHENMKO | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
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| 2N7002EQ | DIODES | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
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| 2N7002ESEPT | CHENMKO | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
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