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2N6491BC

更新时间： 2024-11-04 16:05:07
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 局域网开关晶体管
页数 文件大小 规格书
61页 367K
描述
15A, 80V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB, 3 PIN

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2N6491BC 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-220AB包装说明：TO-220AB, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.72外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：15 A集电极-发射极最大电压：80 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：5
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：PNP
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子面层：TIN LEAD端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：5 MHzBase Number Matches：1

2N6491BC 数据手册

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SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
. . . designed for use in general–purpose amplifier and switching applications.  
•
DC Current Gain Specified to 15 Amperes —  
h
h
= 20–150 @ I = 5.0 Adc  
FE  
FE  
C
= 5.0 (Min) @ I = 15 Adc  
C
•
Collector–Emitter Sustaining Voltage —  
V
V
= 60 Vdc (Min) – 2N6487, 2N6490  
= 80 Vdc (Min) – 2N6488, 2N6491  
CEO(sus)  
CEO(sus)  
*Motorola Preferred Device  
•
•
High Current Gain — Bandwidth Product  
= 5.0 MHz (Min) @ I = 1.0 Adc  
TO–220AB Compact Package  
15 AMPERE  
COMPLEMENTARY  
SILICON  
f
T
C
POWER TRANSISTORS  
60–80 VOLTS  
MAXIMUM RATINGS (1)  
2N6487  
2N6490  
2N6488  
2N6491  
75 WATTS  
Rating  
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Base Voltage  
Emitter–Base Voltage  
Collector Current — Continuous  
Base Current  
Symbol  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Adc  
Adc  
V
CEO  
60  
70  
80  
90  
V
CB  
V
EB  
5.0  
15  
I
C
I
B
5.0  
Total Power Dissipation @ T = 25 C  
C
Derate above 25 C  
P
D
75  
0.6  
Watts  
W/ C  
Total Power Dissipation @ T = 25 C  
A
Derate above 25 C  
P
D
1.8  
0.014  
Watts  
W/ C  
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
T , T  
J stg  
–65 to +150  
C
CASE 221A–06  
TO–220AB  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
1.67  
70  
Unit  
C/W  
C/W  
Thermal Resistance, Junction to Case  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
(1) Indicates JEDEC Registered Data.  
R
θJC  
θJA  
R
T
A
T
C
4.0 80  
3.0 60  
2.0 40  
T
C
T
A
1.0 20  
0
0
0
20  
40  
60  
80  
100  
120  
140 160  
T , CASE TEMPERATURE (°C)  
C
Figure 1. Power Derating  
Preferred devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.  
REV 7  
3–132  
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data  
1234567...61

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