5秒后页面跳转
2N6427-J18Z PDF预览

2N6427-J18Z

更新时间: 2024-01-26 00:32:21
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 47K
描述
1200mA, 40V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR

2N6427-J18Z 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.75风险等级:5.63
最大集电极电流 (IC):1.2 A基于收集器的最大容量:7 pF
集电极-发射极最大电压:40 V配置:DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE):14000JESD-30 代码:O-PBCY-T3
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:ROUND封装形式:CYLINDRICAL
极性/信道类型:NPN认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:BOTTOM晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):130 MHzVCEsat-Max:1.5 V
Base Number Matches:1

2N6427-J18Z 数据手册

 浏览型号2N6427-J18Z的Datasheet PDF文件第2页 

与2N6427-J18Z相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
2N6427-J35Z TI 1200mA, 40V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR

获取价格

2N6427-J60Z TI 1200mA, 40V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR

获取价格

2N6427LEADFREE CENTRAL Small Signal Bipolar Transistor, 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, TO-92, 3 PI

获取价格

2N6427RL MOTOROLA Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92

获取价格

2N6427RLRA MOTOROLA Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92

获取价格

2N6427RLRA ONSEMI NPN 双极达林顿晶体管

获取价格