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2N6427-J18Z

更新时间: 2024-11-04 14:46:19
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 47K
描述
1200mA, 40V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR

2N6427-J18Z 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.75风险等级:5.63
最大集电极电流 (IC):1.2 A基于收集器的最大容量:7 pF
集电极-发射极最大电压:40 V配置:DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE):14000JESD-30 代码:O-PBCY-T3
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:ROUND封装形式:CYLINDRICAL
极性/信道类型:NPN认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:BOTTOM晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):130 MHzVCEsat-Max:1.5 V
Base Number Matches:1

2N6427-J18Z 数据手册

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