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2N6357

更新时间： 2024-11-29 06:19:11

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锦美电子 - JMNIC		晶体晶体管
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3页	43K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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2N6357 数据手册

JMnic

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

2N6357

DESCRIPTION

·With TO-3 package

·High DC current gain

·DARLINGTON

APPLICATIONS

·For general-purpose amplifier and

low-frequency switching applications

PINNING

DESCRIPTION

Base

Emitter

Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol

Collector

Absolute maximum ratings(Ta=℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CONDITIONS

Open emitter

VALUE

UNIT

Open base

Open collector

I_B

Base current

0.5

P_D

Total Power Dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_C=25℃

150

200

-65~200

℃

T_j

T_stg

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

Thermal resistance junction to case

VALUE

UNIT

R_{th j-c}

1.09

℃/W

12 3

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