Datasheet > 2N6359

2N6359

更新时间： 2024-11-02 07:29:07

品牌	Logo	应用领域
无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	39K
描述
Silicon NPN Power Transistors

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

2N6359 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.57
Base Number Matches：	1

2N6359 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

2N6359

DESCRIPTION

·With TO-3 package

·Low collector saturation voltage

·High DC current gain

·Excellent safe operating area

APPLICATIONS

·Designed for high power applications

and switching circuits such as relay

or solenoid drivers, dc to dc converters

or inverters.

PINNING

DESCRIPTION

Base

Emitter

Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol

Collector

Absolute maximum ratings(Ta=℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CONDITIONS

Open emitter

VALUE

100

UNIT

Open base

Open collector

I_CM

Collector current-peak

Base current

I_B

P_D

Total Power Dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_C=25℃

150

-65~200

℃

T_j

T_stg

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

VALUE

UNIT

R_{th j-c}

Thermal resistance junction to case

1.17

℃/W

12 3

中文翻译

下载PDF

与2N6359相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2N635A	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 20V V(BR)CEO \| 300MA I(C) \| TO-9
2N636	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 15V V(BR)CEO \| 300MA I(C) \| TO-9
2N6360	ISC	获取价格	Silicon NPN Power Transistors
2N6360	APITECH	获取价格	Power Bipolar Transistor, 30A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2
2N6360	NJSEMI	获取价格	Trans GP BJT NPN 150V 25A 3-Pin(2+Tab) TO-3
2N6360	SAVANTIC	获取价格	Silicon NPN Power Transistors
2N6360	JMNIC	获取价格	Silicon NPN Power Transistors
2N6361	NJSEMI	获取价格	Trans GP BJT NPN 150V 25A 3-Pin(2+Tab) TO-3
2N6362	NJSEMI	获取价格	Trans GP BJT NPN 150V 25A 3-Pin(2+Tab) TO-3
2N6364	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 33V V(BR)CEO \| 10A I(C) \| SOT-119VAR