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2N6359

更新时间： 2024-02-02 08:32:04

品牌	Logo	应用领域
锦美电子 - JMNIC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	42K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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技术参数
数据手册

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2N6359 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.82	最大集电极电流 (IC)：	16 A
配置：	Single	最小直流电流增益 (hFE)：	15
JESD-609代码：	e0	最高工作温度：	200 °C
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	150 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	标称过渡频率 (fT)：	0.2 MHz
Base Number Matches：	1

2N6359 数据手册

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JMnic

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

2N6359

DESCRIPTION

·With TO-3 package

·Low collector saturation voltage

·High DC current gain

·Excellent safe operating area

APPLICATIONS

·Designed for high power applications

and switching circuits such as relay

or solenoid drivers, dc to dc converters

or inverters.

PINNING

PIN

DESCRIPTION

1

Base

2

3

Emitter

Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol

Collector

Absolute maximum ratings(Ta=℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CONDITIONS

Open emitter

VALUE

100

80

UNIT

V

Open base

V

Open collector

7

V

16

A

I_CM

Collector current-peak

Base current

30

A

I_B

4

A

P_D

Total Power Dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_C=25℃

150

150

-65~200

W

℃

℃

T_j

T_stg

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

VALUE

UNIT

R_{th j-c}

Thermal resistance junction to case

1.17

℃/W

12 3

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2N635A	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 20V V(BR)CEO \| 300MA I(C) \| TO-9	获取价格
2N636	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 15V V(BR)CEO \| 300MA I(C) \| TO-9	获取价格
2N6360	ISC	Silicon NPN Power Transistors	获取价格
2N6360	APITECH	Power Bipolar Transistor, 30A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2	获取价格
2N6360	NJSEMI	Trans GP BJT NPN 150V 25A 3-Pin(2+Tab) TO-3	获取价格
2N6360	SAVANTIC	Silicon NPN Power Transistors	获取价格

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