5秒后页面跳转
2N6359 PDF预览

2N6359

更新时间: 2024-01-13 18:18:24
品牌 Logo 应用领域
锦美电子 - JMNIC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 42K
描述
Silicon NPN Power Transistors

2N6359 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:,Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.82最大集电极电流 (IC):16 A
配置:Single最小直流电流增益 (hFE):15
JESD-609代码:e0最高工作温度:200 °C
极性/信道类型:NPN最大功率耗散 (Abs):150 W
子类别:Other Transistors表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)标称过渡频率 (fT):0.2 MHz
Base Number Matches:1

2N6359 数据手册

 浏览型号2N6359的Datasheet PDF文件第1页浏览型号2N6359的Datasheet PDF文件第2页 
JMnic  
Product Specification  
Silicon NPN Power Transistors  
2N6359  
PACKAGE OUTLINE  
Fig.2 outline dimensions (unindicated tolerance:±0.10mm)  
3

与2N6359相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
2N635A ETC TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | 300MA I(C) | TO-9

获取价格

2N636 ETC TRANSISTOR | BJT | NPN | 15V V(BR)CEO | 300MA I(C) | TO-9

获取价格

2N6360 ISC Silicon NPN Power Transistors

获取价格

2N6360 APITECH Power Bipolar Transistor, 30A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2

获取价格

2N6360 NJSEMI Trans GP BJT NPN 150V 25A 3-Pin(2+Tab) TO-3

获取价格

2N6360 SAVANTIC Silicon NPN Power Transistors

获取价格