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2N6281

更新时间: 2024-11-04 20:14:07
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美高森美 - MICROSEMI /
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1页 66K
描述
Power Bipolar Transistor, 50A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-63, Metal, 3 Pin, TO-63, 3 PIN

2N6281 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active零件包装代码:TO-63
包装说明:POST/STUD MOUNT, O-MUPM-X3针数:3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.95风险等级:5.11
最大集电极电流 (IC):50 A集电极-发射极最大电压:150 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):30
JEDEC-95代码:TO-63JESD-30 代码:O-MUPM-X3
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:3封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND封装形式:POST/STUD MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:NPN
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子面层:TIN LEAD端子形式:UNSPECIFIED
端子位置:UPPER处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

2N6281 数据手册

  

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