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2N6282

更新时间： 2024-01-26 19:17:49

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SAVANTIC		晶体晶体管开关局域网
页数	文件大小	规格书
3页	114K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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2N6282 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.64
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	20 A
基于收集器的最大容量：	400 pF	集电极-发射极最大电压：	60 V
配置：	DARLINGTON	最小直流电流增益 (hFE)：	100
JEDEC-95代码：	TO-3	JESD-30 代码：	O-MBFM-P2
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	200 °C
最低工作温度：	-65 °C	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	160 W	表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier	端子形式：	PIN/PEG
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	4 MHz	VCEsat-Max：	3 V
Base Number Matches：	1

2N6282 数据手册

SavantIC Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

2N6282 2N6283 2N6284

DESCRIPTION

·With TO-3 package

·Complement to type 2N6285/6286/6287

·High DC current gain

·DARLINGTON

APPLICATIONS

·For use in general-purpose amplifier and

low-frequency switching applications

PINNING

DESCRIPTION

Base

Emitter

Collector

Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol

Absolute maximum ratings(Ta=ꢀ )

SYMBOL

PARAMETER

CONDITIONS

VALUE

UNIT

2N6282

2N6283

2N6284

2N6282

2N6283

2N6284

V_CBO

Collector-base voltage

Open emitter

100

V_CEO

Collector-emitter voltage

Open base

100

V_EBO

I_C

I_CM

I_B

Emitter-base voltage

Collector current

Open collector

ꢀ

Collector current-peak

Base current

0.5

P_D

T_j

Total Power Dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_C=25ꢀ

160

200

-65~200

T_stg

ꢀ

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

VALUE

UNIT

R_{th j-c}

Thermal resistance junction to case

1.09

ꢀ/W

12 3

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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