是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
Reach Compliance Code: | compliant | 风险等级: | 5.64 |
外壳连接: | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC): | 20 A |
基于收集器的最大容量: | 400 pF | 集电极-发射极最大电压: | 60 V |
配置: | DARLINGTON | 最小直流电流增益 (hFE): | 100 |
JEDEC-95代码: | TO-3 | JESD-30 代码: | O-MBFM-P2 |
JESD-609代码: | e3 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 最高工作温度: | 200 °C |
最低工作温度: | -65 °C | 封装主体材料: | METAL |
封装形状: | ROUND | 封装形式: | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | NPN |
最大功率耗散 (Abs): | 160 W | 表面贴装: | NO |
端子面层: | Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier | 端子形式: | PIN/PEG |
端子位置: | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
标称过渡频率 (fT): | 4 MHz | VCEsat-Max: | 3 V |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
2N6282LEADFREE | CENTRAL |
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Power Bipolar Transistor, 20A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 | |
2N6283 | NJSEMI |
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COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE | |
2N6283 | COMSET |
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NPN SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTOR | |
2N6283 | SAVANTIC |
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Silicon NPN Power Transistors | |
2N6283 | ISC |
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Silicon NPN Power Transistors | |
2N6283 | SEME-LAB |
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Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 | |
2N6283 | MOSPEC |
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POWER TRANSISTORS(20A,160W) | |
2N6283 | BOCA |
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DARLINGTON COPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS | |
2N6283 | MICROSEMI |
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NPN DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR | |
2N6283 | CENTRAL |
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POWER TRANSISTORS TO-3 CASE |