2N6050

更新时间： 2024-11-04 06:20:11

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描述
POWER COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS

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2N6050 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.57
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	12 A
配置：	DARLINGTON	最小直流电流增益 (hFE)：	100
最高工作温度：	200 °C	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	150 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	标称过渡频率 (fT)：	4 MHz
Base Number Matches：	1

2N6050 数据手册

POWER COMPLEMENTARY

SILICON TRANSISTORS

The 2N6050, 2N6051 and 2N6052 are silicon epitaxial-base PNP

transistors in monolithic Darlington configuration mounted in Jedec

TO-3 metal case. They are inteded for use in power linear and low

frequency switching applications. The complementary NPN types are

2N6057, 2N6058 and 2N6059 respectively.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

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Unit

2N6050

2N6057

2N6051

2N6058

2N6052

2N6059

2N6050

2N6057

2N6051

2N6058

2N6052

2N6059

2N6050

2N6057

2N6051

2N6058

2N6052

2N6059

Collector-Base Voltage

Collector-EmitterVoltage

I_E=0

V_CBO

100

I_B=0

V_CEO

100

V_BE=-1.5 V

V_CEX

100

2N6050

2N6057

2N6051

2N6058

2N6052

2N6059

Emitter-Base Voltage

I_C=0

V_EBO

5.0

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