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2N6046

更新时间: 2024-11-04 20:14:07
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美高森美 - MICROSEMI 晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 66K
描述
Power Bipolar Transistor, 20A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-63, Metal, 3 Pin,

2N6046 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:TO-63
包装说明:POST/STUD MOUNT, O-MUPM-D3针数:3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
风险等级:5.46Is Samacsys:N
外壳连接:COLLECTOR最大集电极电流 (IC):20 A
集电极-发射极最大电压:60 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):20JEDEC-95代码:TO-63
JESD-30 代码:O-MUPM-D3JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:200 °C封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND封装形式:POST/STUD MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:NPN
最大功率耗散 (Abs):114 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:NO
端子面层:TIN LEAD端子形式:SOLDER LUG
端子位置:UPPER处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):30 MHz
Base Number Matches:1

2N6046 数据手册

  

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