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| 生命周期： | Contact Manufacturer | 包装说明： | , |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.57 |
| Is Samacsys： | N | 最大集电极电流 (IC)： | 12 A |
| 配置： | DARLINGTON | 最小直流电流增益 (hFE)： | 750 |
| 最高工作温度： | 200 °C | 极性/信道类型： | PNP |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 150 W | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 标称过渡频率 (fT)： | 4 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N6050_12 | COMSET |
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POWER COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS |
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| 2N6051 | SEME-LAB |
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Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed TO3 |
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| 2N6051 | MICROSEMI |
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PNP DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR |
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| 2N6051 | MOSPEC |
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POWER TRANSISTORS(12A,150W) |
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| 2N6051 | BOCA |
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DARLINGTON COMPLEMENTARY SILICON-POWER TRANSISTORS |
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| 2N6051 | NJSEMI |
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COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE |
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| 2N6051 | COMSET |
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POWER COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS |
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| 2N6051 | MICREL |
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PNP DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR |
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| 2N6051 | CENTRAL |
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12A,80V Through-Hole Transistor-Bipolar Power (>1A) PNP Darlington |
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| 2N6051E3 | MICROSEMI |
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Power Bipolar Transistor, 12A I(C), PNP |
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