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2N6049

更新时间： 2024-01-19 13:48:21

品牌	Logo	应用领域
无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	130K
描述
Silicon PNP Power Transistors

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2N6049 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
包装说明：	HERMETIC SEALED, METAL, TO-66, 2 PIN	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.74
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	4 A
集电极-发射极最大电压：	55 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	25	JEDEC-95代码：	TO-213AA
JESD-30 代码：	O-MBFM-P2	元件数量：	1
端子数量：	2	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	PIN/PEG	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	3 MHz	Base Number Matches：	1

2N6049 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon PNP Power Transistors

2N6049

DESCRIPTION

·With TO-66 package

·Complement to type 2N3054A

APPLICATIONS

·Designed for general purpose switching

and amplifier applications

PINNING (See Fig.2)

DESCRIPTION

Base

Emitter

Collector

Fig.1 simplified outline (TO-66) and symbol

Absolute maximum ratings(Ta=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CONDITIONS

Open emitter

VALUE

-90

UNIT

Open base

-55

Open collector

-7

-4

I_CM

Collector current-peak

Base current

-10

I_B

-2

P_D

Power dissipation

T_C=25℃

℃

T_j

Junction temperature

Storage temperature

200

-65~200

T_stg

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

MAX

UNIT

R_{th j-C}

Thermal resistance junction to case

2.33

℃/W

12 3

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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