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2N6040/D

更新时间： 2024-01-03 05:26:01

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8页	114K
描述
Plastic Medium-Power Complementary Silicon Transistors

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2N6040/D 技术参数

生命周期：	Obsolete	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.67
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	8 A
集电极-发射极最大电压：	60 V	配置：	DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE)：	1000	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	PNP	功耗环境最大值：	75 W
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	4 MHz	Base Number Matches：	1

2N6040/D 数据手册

2N6040 thru 2N6042 2N6043 thru 2N6045

5.0

3.0

2.0

-ā30 V

R & R VARIED TO OBTAIN DESIRED CURRENT LEVELS

D MUST BE FAST RECOVERY TYPE, eg:

ă1N5825 USED ABOVE I ≈ 100 mA

1.0

SCOPE

ăMSD6100 USED BELOW I ≈ 100 mA

0.7

0.5

TUT

approx

+ā8.0 V

0.3

0.2

= 30 V

I /I = 250

≈ 8.0 k

≈Ă120

C B

= I

approx

-12 V

B1 B2

+ā4.0 V

0.1

0.07

0.05

T = 25°C

PNP

NPN

25 µs

t @ V

= 0 V

BE(off)

for t and t , D is disconnected

and V = 0

t , t ≤ 10 ns

DUTY CYCLE = 1.0%

0.1

0.2 0.3

0.5 0.7 1.0

2.0 3.0

5.0 7.0 10

For NPN test circuit reverse all polarities and D1.

I , COLLECTOR CURRENT (AMP)

Figure 2. Switching Times Equivalent Circuit

Figure 3. Switching Times

1.0

0.7

0.5

D = 0.5

0.3

0.2

0.1

(pk)

(t) = r(t) θ

= 1.67°C/W

0.1

0.07

0.05

0.02

D CURVES APPLY FOR POWER

PULSE TRAIN SHOWN

READ TIME AT t

- T = P θ (t)

C (pk) JC

J(pk)

0.03

0.02

0.01

DUTY CYCLE, D = t /t

1 2

SINGLE PULSE

0.01

0.02 0.03 0.05

0.1

0.2 0.3 0.5

1.0

2.0 3.0 5.0

20 30

100

200 300 500

1000

t, TIME OR PULSE WIDTH (ms)

Figure 4. Thermal Response

http://onsemi.com

1 2 345 6 7 8

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2N604016A	MOTOROLA	Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plasti	获取价格
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