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2N6040/D

更新时间： 2024-01-31 18:09:15

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8页	114K
描述
Plastic Medium-Power Complementary Silicon Transistors

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2N6040/D 技术参数

生命周期：	Obsolete	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.67
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	8 A
集电极-发射极最大电压：	60 V	配置：	DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE)：	1000	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	PNP	功耗环境最大值：	75 W
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	4 MHz	Base Number Matches：	1

2N6040/D 数据手册

2N6040 thru 2N6042 2N6043 thru 2N6045

PNP

NPN

2N6040, 2N6041, 2N6042

2N6043, 2N6044, 2N6045

20,000

10,000

20,000

= 4.0 V

10,000

7000

5000

7000

5000

T = 150°C

3000

2000

3000

2000

25°C

1000

700

500

-ā55°C

500

300

200

300

200

0.1

0.2 0.3

0.5 0.7 1.0

2.0 3.0

5.0 7.0 10

0.1

0.2 0.3

0.5 0.7 1.0

2.0 3.0

5.0 7.0 10

I , COLLECTOR CURRENT (AMP)

Figure 8. DC Current Gain

3.0

2.6

2.2

1.8

1.4

1.0

3.0

T = 25°C

2.6

I = 2.0 A

6.0 A

4.0 A

2.2

1.8

1.4

1.0

0.3

0.5 0.7 1.0

2.0 3.0

5.0 7.0 10

20 30

0.3

0.5 0.7 1.0

2.0 3.0

5.0 7.0 10

20 30

I , BASE CURRENT (mA)

Figure 9. Collector Saturation Region

3.0

2.5

2.0

1.5

1.0

0.5

3.0

T = 25°C

2.5

2.0

@ I /I = 250

C B

BE(sat)

1.5

1.0

0.5

@ V = 4.0 V

@ I /I = 250

C B

BE(sat)

@ I /I = 250

C B

CE(sat)

@ I /I = 250

C B

CE(sat)

0.1

0.2 0.3

0.5 0.7 1.0

2.0 3.0

5.0 7.010

0.1

0.2 0.3

0.5 0.7 1.0

2.0 3.0

5.0 7.0 10

I , COLLECTOR CURRENT (AMP)

Figure 10. “On” Voltages

http://onsemi.com

1...3 4 567 8

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