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2N6040/D

更新时间: 2024-01-21 19:57:40
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其他 - ETC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 114K
描述
Plastic Medium-Power Complementary Silicon Transistors

2N6040/D 技术参数

生命周期:ObsoleteReach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99风险等级:5.67
外壳连接:COLLECTOR最大集电极电流 (IC):8 A
集电极-发射极最大电压:60 V配置:DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE):1000JEDEC-95代码:TO-220AB
JESD-30 代码:R-PSFM-T3元件数量:1
端子数量:3封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:PNP功耗环境最大值:75 W
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):4 MHzBase Number Matches:1

2N6040/D 数据手册

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2N6040 thru 2N6042 2N6043 thru 2N6045  
PACKAGE DIMENSIONS  
TO–220AB  
CASE 221A–09  
ISSUE AA  
NOTES:  
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI  
Y14.5M, 1982.  
SEATING  
PLANE  
–T–  
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.  
3. DIMENSION Z DEFINES A ZONE WHERE ALL  
BODY AND LEAD IRREGULARITIES ARE  
ALLOWED.  
C
B
F
T
S
4
1
INCHES  
DIM MIN MAX  
MILLIMETERS  
MIN  
14.48  
9.66  
4.07  
0.64  
3.61  
2.42  
2.80  
0.46  
12.70  
1.15  
4.83  
2.54  
2.04  
1.15  
5.97  
0.00  
1.15  
---  
MAX  
15.75  
10.28  
4.82  
0.88  
3.73  
2.66  
3.93  
0.64  
14.27  
1.52  
5.33  
3.04  
2.79  
1.39  
6.47  
1.27  
---  
A
K
Q
Z
A
B
C
D
F
0.570  
0.380  
0.160  
0.025  
0.142  
0.095  
0.110  
0.018  
0.500  
0.045  
0.190  
0.100  
0.080  
0.045  
0.235  
0.000  
0.045  
---  
0.620  
0.405  
0.190  
0.035  
0.147  
0.105  
0.155  
0.025  
0.562  
0.060  
0.210  
0.120  
0.110  
0.055  
0.255  
0.050  
---  
2
3
U
H
G
H
J
K
L
L
R
N
Q
R
S
T
V
J
G
D
U
V
Z
N
0.080  
2.04  
http://onsemi.com  
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