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2N6036G

更新时间： 2024-01-09 12:04:03

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安森美 - ONSEMI		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	86K
描述
Plastic Darlington Complementary Silicon Power Transistors

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2N6036G 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Active
零件包装代码：	TO-225AA	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
Factory Lead Time：	2 weeks	风险等级：	0.87
Samacsys Description：	ON SEMICONDUCTOR - 2N6036G - TRANSISTOR, PNP, -80V, -4A, TO-225	最大集电极电流 (IC)：	4 A
集电极-发射极最大电压：	80 V	配置：	DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：	100	JEDEC-95代码：	TO-225AA
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	1.5 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn) - annealed	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	25 MHz

2N6036G 数据手册

(PNP) 2N6034, 2N6035, 2N6036; (NPN) 2N6038, 2N6039

3.4

3.0

3.4

T = 25°C

3.0

I =

0.5 A

I =

0.5 A

2.6

2.2

2.6

2.2

1.8

1.4

1.0 A

4.0 A

2.0 A

1.0 A

2.0 A

4.0 A

1.8

1.4

1.0

0.6

1.0

0.6

0.1 0.2

0.5

1.0 2.0

5.0 10

51000

0.1 0.2 0.5

1.0 2.0

5.0

100

I , BASE CURRENT (mA)

Figure 8. Collector Saturation Region

2.2

1.8

1.4

1.0

0.6

0.2

2.2

T = 25°C

1.8

@ I /I = 250

C B

BE(sat)

@ I /I = 250

C B

BE(sat)

@ V = 3.0 V

1.4

1.0

0.6

0.2

@ V = 3.0 V

@ I /I = 250

C B

CE(sat)

@ I /I = 250

C B

CE(sat)

0.04 0.06

0.1

0.2

0.4 0.6

1.0

2.0 4.0

0.04 0.06

0.1

0.2

0.4 0.6

1.0

2.0

4.0

I , COLLECTOR CURRENT (AMP)

Figure 9. “On” Voltages

ORDERING INFORMATION

Device

Package

Shipping

2N6034

TO−225AA

2N6034G

TO−225AA

(Pb−Free)

2N6035

TO−225AA

2N6035G

TO−225AA

(Pb−Free)

2N6036

TO−225AA

500 Units / Box

2N6036G

TO−225AA

(Pb−Free)

2N6038

TO−225AA

2N6038G

TO−225AA

(Pb−Free)

2N6039

TO−225AA

(Pb−Free)

2N6039G

http://onsemi.com

1 2 3 456

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2N6037	ISC	Silicon NPN Power Transistors	获取价格
2N6037	SAVANTIC	Silicon NPN Power Transistors	获取价格
2N6037	NJSEMI	COMPLEMENTARY SILICON DARLINGTON TRANSISTORS	获取价格
2n6037	CDIL	SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS	获取价格
2N6037LEADFREE	CENTRAL	Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/	获取价格
2N6037NPN	CDIL	SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS	获取价格
2N6038	STMICROELECTRONICS	MIDIUM POWER DAR;OMGTONS	获取价格
2N6038	ONSEMI	Plastic Darlington Complementary Silicon Power Transistors	获取价格
2N6038	CDIL	SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS	获取价格
2N6038	NJSEMI	COMPLEMENTARY SILICON DARLINGTON TRANSISTORS	获取价格
2N6038	SAVANTIC	Silicon NPN Power Transistors	获取价格
2N6038	ISC	Silicon NPN Power Transistors	获取价格
2N6038G	ONSEMI	Plastic Darlington Complementary Silicon Power Transistors	获取价格
2N6038LEADFREE	CENTRAL	Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/	获取价格
2N6038NPN	CDIL	SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS	获取价格
2N6039	SAVANTIC	Silicon NPN Power Transistors	获取价格
2N6039	STMICROELECTRONICS	MIDIUM POWER DAR;OMGTONS	获取价格
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