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2N5655

更新时间： 2024-11-01 22:49:23
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体晶体管功率双极晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 90K
描述
Plastic NPN Silicon High-Voltage Power Transistor

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2N5655 技术参数

是否无铅： 含铅生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-225AA包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.14
最大集电极电流 (IC)：0.5 A集电极-发射极最大电压：250 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：5
JEDEC-95代码：TO-225AAJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：240
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：20 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：10 MHz
Base Number Matches：1

2N5655 数据手册

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ON Semiconductor)  
2N5655  
2N5657  
Plastic NPN Silicon  
High-Voltage Power Transistor  
. . . designed for use in line–operated equipment such as audio  
output amplifiers; low–current, high–voltage converters; and AC line  
relays.  
0.5 AMPERE  
POWER TRANSISTORS  
NPN SILICON  
• Excellent DC Current Gain –  
h
= 30–250 @ I = 100 mAdc  
FE  
• Current–Gain – Bandwidth Product –  
C
250–350 VOLTS  
20 WATTS  
f = 10 MHz (Min) @ I = 50 mAdc  
T
C
MAXIMUM RATINGS (1)  
Rating  
Symbol  
2N5655  
250  
2N5657  
350  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Adc  
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Base Voltage  
Emitter–Base Voltage  
V
CEO  
V
CB  
275  
375  
STYLE 1:  
PIN 1. EMITTER  
2. COLLECTOR  
3. BASE  
V
EB  
6.0  
3
2
1
Collector Current – Continuous  
Peak  
I
C
0.5  
1.0  
CASE 77–09  
TO–225AA TYPE  
Base Current  
I
B
0.25  
Adc  
Total Power Dissipation @ T = 25_C  
P
20  
0.16  
Watts  
W/_C  
_C  
C
D
Derate above 25_C  
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
T , T  
J stg  
–65 to +150  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
Unit  
Thermal Resistance, Junction to Case  
(1) Indicates JEDEC Registered Data.  
θ
6.25  
_C/W  
JC  
40  
30  
20  
50 mH  
X
200  
TO SCOPE  
Y
H
RELAY  
g
+
+
-
6.0 V  
50 V  
10  
0
300  
1.0  
25  
50  
75  
100  
125  
150  
T , CASE TEMPERATURE (°C)  
C
Figure 2. Sustaining Voltage Test Circuit  
Figure 1. Power Derating  
Safe Area Limits are indicated by Figures 3 and 4. Both limits are applicable and must be observed.  
Semiconductor Components Industries, LLC, 2002  
1
Publication Order Number:  
April, 2002 – Rev. 7  
2N5655/D  
1234

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