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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | , | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.04 | 最大集电极电流 (IC)： | 0.5 A |
| 配置： | Single | 最小直流电流增益 (hFE)： | 30 |
| JESD-609代码： | e0 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 极性/信道类型： | NPN | 最大功率耗散 (Abs)： | 20 W |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 标称过渡频率 (fT)： | 10 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N5655/D | ETC |
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Plastic NPN Silicon High-Voltage Power Transistor |
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| 2N5655_06 | ONSEMI |
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Plastic NPN Silicon High−Voltage Power Transistor |
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| 2N5655G | ONSEMI |
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Plastic NPN Silicon High−Voltage Power Transistor |
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| 2N5655LEADFREE | CENTRAL |
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Power Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 250V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plast |
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| 2N5656 | SAVANTIC |
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Silicon NPN Power Transistors |
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| 2N5656 | ISC |
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Silicon NPN Power Transistors |
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| 2N5656 | NJSEMI |
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SI NPN POWER BJT |
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| 2N5656 | NSC |
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TRANSISTOR,BJT,NPN,300V V(BR)CEO,500MA I(C),TO-126VAR |
|
| 2N5656 | ONSEMI |
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POWER TRANSISTORS NPN SILICON |
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| 2N5656 | JMNIC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistors |
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