生命周期: | Obsolete | Reach Compliance Code: | unknown |
HTS代码: | 8541.30.00.80 | 风险等级: | 5.84 |
Is Samacsys: | N | 配置: | SINGLE |
换向电压的临界上升率-最小值: | 2 V/us | 关态电压最小值的临界上升速率: | 20 V/us |
最大直流栅极触发电流: | 50 mA | 最大直流栅极触发电压: | 2.5 V |
最大维持电流: | 75 mA | JESD-30 代码: | O-MUPM-D2 |
最大漏电流: | 2 mA | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 最高工作温度: | 100 °C |
最低工作温度: | -60 °C | 封装主体材料: | METAL |
封装形状: | ROUND | 封装形式: | POST/STUD MOUNT |
认证状态: | Not Qualified | 最大均方根通态电流: | 15 A |
断态重复峰值电压: | 400 V | 子类别: | TRIACs |
表面贴装: | NO | 端子形式: | SOLDER LUG |
端子位置: | UPPER | 触发设备类型: | TRIAC |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
2N5575 | NJSEMI | SI NPN POWER BJT, I(C) |
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2N5575 | SEME-LAB | Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 Metal Package |
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2N5575 | MICROSEMI | Power Bipolar Transistor, 80A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 |
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2N5578 | NJSEMI | SI NPN POWER BJT, I(C) |
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2N5578 | MICROSEMI | Power Bipolar Transistor, 60A I(C), 70V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 |
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2N5581 | CENTRAL | Small Signal Transistors |
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