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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | , | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.68 | Is Samacsys： | N |
| FET 技术： | JUNCTION | JESD-609代码： | e0 |
| 最高工作温度： | 200 °C | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.3 W | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N5559 | ISC |
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Silicon NPN Power Transistors |
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| 2N5559 | SAVANTIC |
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Silicon NPN Power Transistors |
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| 2N5559 | JMNIC |
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Silicon NPN Power Transistors |
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| 2N5560 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 120V V(BR)CEO | 30A I(C) | TO-210AE |
|
| 2N5560E3 | MICROSEMI |
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Power Bipolar Transistor, 30A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-63, Metal, |
|
| 2N5561 | ETC |
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TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | DUAL | 50V V(BR)DSS | 10MA I(DSS) | TO-71 |
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| 2N5562 | VISHAY |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, N-Channel, Junction FET, |
|
| 2N5563 | VISHAY |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, N-Channel, Junction FET, |
|
| 2N5564 | VISHAY |
获取价格 |
Matched N-Channel JFET Pairs |
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| 2N5564 | NJSEMI |
获取价格 |
MATCHED N-CHANNEL JFET PAIRS |
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