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2N5563

更新时间: 2024-01-02 20:05:09
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威世 - VISHAY /
页数 文件大小 规格书
3页 211K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, N-Channel, Junction FET,

2N5563 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:ActiveReach Compliance Code:unknown
风险等级:5.38配置:SEPARATE, 2 ELEMENTS
FET 技术:JUNCTIONJEDEC-95代码:TO-71
JESD-30 代码:O-MBCY-W6元件数量:2
端子数量:6工作模式:DEPLETION MODE
最高工作温度:200 °C封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND封装形式:CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):0.25 W认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Small Signal表面贴装:NO
端子形式:WIRE端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

2N5563 数据手册

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