2N5550RLRM

更新时间： 2024-01-22 18:54:07

品牌	Logo	应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA		晶体放大器晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	191K
描述
600mA, 140V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

2N5550RLRM 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	not_compliant
风险等级：	5.69	Is Samacsys：	N
基于收集器的最大容量：	6 pF	集电极-发射极最大电压：	140 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	60
JEDEC-95代码：	TO-92	JESD-30 代码：	O-PBCY-T3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	100 MHz
VCEsat-Max：	0.25 V	Base Number Matches：	1

2N5550RLRM 数据手册

500

300

200

= 1.0 V

= 5.0 V

= 125°C

25°C

100

–55°C

7.0

5.0

0.1

0.2

0.3

0.5

0.7

1.0

3.0

, COLLECTOR CURRENT (mA)

2.0

5.0

7.0

100

Figure 1. DC Current Gain

1.0

0.9

0.8

0.7

0.6

0.5

0.4

0.3

0.2

0.1

= 1.0 mA

10 mA

100 mA

30 mA

0.005

0.01

0.02

0.05

0.1

0.2

0.5

1.0

2.0

5.0

, BASE CURRENT (mA)

Figure 2. Collector Saturation Region

Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data

1 234 5 6

中文翻译

下载PDF

与2N5550RLRM相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2N5550RLRP	ONSEMI	获取价格	Amplifier Transistors
2N5550RLRPG	ONSEMI	获取价格	Amplifier Transistors
2N5550S	KEC	获取价格	EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (GENERAL PURPOSE, HIGH VOLTAGE)
2N5550S_99	KEC	获取价格	EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR
2N5550STOA	ZETEX	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 140V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
2N5550STOB	ZETEX	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 140V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
2N5550STZ	ZETEX	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 140V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
2N5550TA	ONSEMI	获取价格	Small Signal NPN Bipolar Transistor, 2000-FNFLD
2N5550TAR	ROCHESTER	获取价格	600mA, 140V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, LEAD FREE PACKAGE-3
2N5550TAR	ONSEMI	获取价格	小信号 NPN 双极晶体管