是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | CYLINDRICAL, O-PBCY-W3 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.21.00.75 |
风险等级: | 5.92 | 最大集电极电流 (IC): | 0.2 A |
集电极-发射极最大电压: | 30 V | 配置: | DARLINGTON |
最小直流电流增益 (hFE): | 5000 | JEDEC-95代码: | TO-92 |
JESD-30 代码: | O-PBCY-W3 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | ROUND |
封装形式: | CYLINDRICAL | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | NPN | 最大功率耗散 (Abs): | 0.36 W |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | Other Transistors |
表面贴装: | NO | 端子形式: | WIRE |
端子位置: | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管元件材料: | SILICON | 标称过渡频率 (fT): | 200 MHz |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
2N5526 | TI |
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200mA, 30V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 | |
2N5527 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 40V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-5 | |
2N5529 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 40V V(BR)CEO | 10A I(C) | TO-210AC | |
2N553 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 4A I(C) | TO-3 | |
2N5530 | NJSEMI |
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Trans GP BJT NPN 130V 20A 3-Pin TO-63 | |
2N5531 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 75V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-5 | |
2N5533 | NJSEMI |
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RADIATION RESISTANT SILICON NPN POWER TRANSISTOR | |
2N5534 | NJSEMI |
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Trans GP BJT NPN 130V 20A 3-Pin TO-63 | |
2N5535 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 20A I(C) | TO-210AC | |
2N5536 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 20A I(C) | TO-210AC |