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2N5525

更新时间: 2024-11-20 21:17:15
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德州仪器 - TI 晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 45K
描述
200mA, 30V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92

2N5525 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:CYLINDRICAL, O-PBCY-W3Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.21.00.75
风险等级:5.92最大集电极电流 (IC):0.2 A
集电极-发射极最大电压:30 V配置:DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE):5000JEDEC-95代码:TO-92
JESD-30 代码:O-PBCY-W3元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:ROUND
封装形式:CYLINDRICAL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:NPN最大功率耗散 (Abs):0.36 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:NO端子形式:WIRE
端子位置:BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):200 MHz
Base Number Matches:1

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