5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | POST/STUD MOUNT, O-MUPM-X3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.43 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 20 A | 集电极-发射极最大电压： | 130 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 25 |
| JEDEC-95代码： | TO-63 | JESD-30 代码： | O-MUPM-X3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | POST/STUD MOUNT | 极性/信道类型： | NPN |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | UNSPECIFIED |
| 端子位置： | UPPER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N554 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 16V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-3 |
|
| 2N5540 | ETC |
获取价格 |
COLLECTOR CURRENT = 10 AMPS NPN TYPES |
|
| 2N5540E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-61, Metal, |
|
| 2N5541 | ASI |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| 2N5541E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 130V V(BR)CEO, NPN, Silicon, TO-5, Metal, 3 Pin, TO-5, |
|
| 2N5542 | ETC |
获取价格 |
COLLECTOR CURRENT = 10 AMPS NPN TYPES |
|
| 2N5542E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 130V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-61, Metal, |
|
| 2N5545 | VISHAY |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, N-Channel, Junction FET, |
|
| 2N5545 | TI |
获取价格 |
2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-71, TO-71, 8 PIN |
|
| 2N5545JANTX | VISHAY |
获取价格 |
Monolithic N-Channel JFET Duals |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
