Datasheet > 2N5550

2N5550

更新时间： 2024-01-16 11:39:22

品牌	Logo	应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	32K
描述
NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

2N5550 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	not_compliant
风险等级：	5.69	Is Samacsys：	N
基于收集器的最大容量：	6 pF	集电极-发射极最大电压：	140 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	60
JEDEC-95代码：	TO-92	JESD-30 代码：	O-PBCY-T3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	100 MHz
VCEsat-Max：	0.25 V	Base Number Matches：	1

2N5550 数据手册

2N5550

NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR

AMPLIFIER TRANSISTOR

· Collector-Emitter Voltage: V_CEO= 140V

· Collector Dissipation: P_C(max)=625mW

TO-92

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T_A=25°C)

Characteristic

Symbol

Rating

Unit

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current

Collector Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature

V_CBO

160

140

600

625

°C

V_CEO

V_EBO

I_C

P_C

T_J

150

-55 ~ 150

T_STG

· Refer to 2N5551 for graphs

1.Emitter 2. Base 3. Collector

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_A=25°C)

Characteristic

Symbol

Test Conditions

Min

Typ

Max

Unit

160

140

I_C=100mA, I_E=0

I_C=1mA, I_B=0

I_E=10mA, I_C=0

V_CB=100V, I_E=0

V_EB= 4V, I_C=0

I_C=1mA, V_CE=5V

I_C=10mA, V_CE=5V

I_C=50mA, V_CE=5V

I_C=10mA, I_B=1mA

I_C=50mA, I_B=5mA

I_C=10mA, I_B=1mA

I_C=50mA, I_B=5mA

I_C=10mA, V_CE=10V

Collector-Base Breakdown Voltage

* Collector-Emitter Breakdown Voltage

Emitter-Base Breakdown Voltage

Collector Cut-off Current

Emitter Cut-off Current

* DC Current Gain

BV_CBO

BV_CEO

BV_EBO

I_CBO

I_EBO

h_FE

100

250

* Collector-Emitter Saturation Voltage

* Base-Emitter Saturation Voltage

V_CE(sat)

V_BE(on)

f_T

0.15

0.25

1.2

300

MHz

Current Gain Bandwidth Product

Output Capacitance

Noise Figure

100

V_CB=10V, I_E=0

f=1MHz

I_C=250mA, V_CE=5V

R_S=1KW

C_OB

f=10Hz to 15.7KHz

* Pulse Test: Pulse Width£300ms, Duty Cycle£2%

Rev. B

1999 Fairchild Semiconductor Corporation

下载PDF

与2N5550相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2N5550/D	MOTOROLA	Amplifier Transistor NPN	获取价格
2N5550/D11Z	TI	600mA, 140V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92	获取价格
2N5550/D27Z	TI	600mA, 140V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92	获取价格
2N5550/D29Z	TI	600mA, 140V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92	获取价格
2N5550/D74Z	TI	600mA, 140V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92	获取价格
2N5550/D81Z	TI	600mA, 140V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92	获取价格