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2N5539

更新时间： 2024-01-02 01:15:57

品牌	Logo	应用领域
其他 - ETC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
1页	78K
描述
TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 130V V(BR)CEO \| 20A I(C) \| TO-210AE

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2N5539 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.84
最大集电极电流 (IC)：	70 A	配置：	Single
最小直流电流增益 (hFE)：	20	极性/信道类型：	NPN
子类别：	Other Transistors	Base Number Matches：	1

2N5539 数据手册

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1

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2N5539E3	MICROSEMI	Power Bipolar Transistor, 20A I(C), 130V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-63, Metal,	获取价格
2N554	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 16V V(BR)CEO \| 3A I(C) \| TO-3	获取价格
2N5540	ETC	COLLECTOR CURRENT = 10 AMPS NPN TYPES	获取价格
2N5540E3	MICROSEMI	Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-61, Metal,	获取价格
2N5541	ASI	暂无描述	获取价格
2N5541E3	MICROSEMI	Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 130V V(BR)CEO, NPN, Silicon, TO-5, Metal, 3 Pin, TO-5,	获取价格

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