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| 生命周期： | Active | 包装说明： | POST/STUD MOUNT, O-MUPM-X3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.77 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 20 A | 集电极-发射极最大电压： | 130 V |
| 配置： | SINGLE | JESD-30 代码： | O-MUPM-X3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | POST/STUD MOUNT | 极性/信道类型： | NPN |
| 端子形式： | UNSPECIFIED | 端子位置： | UPPER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N5531 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 75V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-5 |
|
| 2N5533 | NJSEMI |
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RADIATION RESISTANT SILICON NPN POWER TRANSISTOR |
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| 2N5534 | NJSEMI |
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Trans GP BJT NPN 130V 20A 3-Pin TO-63 |
|
| 2N5535 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 20A I(C) | TO-210AC |
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| 2N5536 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 20A I(C) | TO-210AC |
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| 2N5537 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 75V V(BR)CEO | 20A I(C) | TO-210AC |
|
| 2N5538 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 75V V(BR)CEO | 20A I(C) | TO-210AC |
|
| 2N5539 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 130V V(BR)CEO | 20A I(C) | TO-210AE |
|
| 2N5539E3 | MICROSEMI |
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Power Bipolar Transistor, 20A I(C), 130V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-63, Metal, |
|
| 2N554 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 16V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-3 |
|
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