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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | CYLINDRICAL, O-PBCY-W3 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.21.00.75 |
| 风险等级： | 5.92 | 最大集电极电流 (IC)： | 0.2 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 30 V | 配置： | DARLINGTON |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 1000 | JEDEC-95代码： | TO-92 |
| JESD-30 代码： | O-PBCY-W3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | CYLINDRICAL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | NPN | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.36 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 200 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N5527 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 40V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-5 |
|
| 2N5529 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 40V V(BR)CEO | 10A I(C) | TO-210AC |
|
| 2N553 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 4A I(C) | TO-3 |
|
| 2N5530 | NJSEMI |
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Trans GP BJT NPN 130V 20A 3-Pin TO-63 |
|
| 2N5531 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 75V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-5 |
|
| 2N5533 | NJSEMI |
获取价格 |
RADIATION RESISTANT SILICON NPN POWER TRANSISTOR |
|
| 2N5534 | NJSEMI |
获取价格 |
Trans GP BJT NPN 130V 20A 3-Pin TO-63 |
|
| 2N5535 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 20A I(C) | TO-210AC |
|
| 2N5536 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 20A I(C) | TO-210AC |
|
| 2N5537 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 75V V(BR)CEO | 20A I(C) | TO-210AC |
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