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2N5529

更新时间： 2024-01-17 08:18:53

品牌	Logo	应用领域
其他 - ETC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	415K
描述
TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 40V V(BR)CEO \| 10A I(C) \| TO-210AC

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2N5529 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.61
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	10 A
配置：	Single	最小直流电流增益 (hFE)：	40
最高工作温度：	175 °C	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	35 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	标称过渡频率 (fT)：	200 MHz
Base Number Matches：	1

2N5529 数据手册

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2N553	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 4A I(C) \| TO-3	获取价格
2N5530	NJSEMI	Trans GP BJT NPN 130V 20A 3-Pin TO-63	获取价格
2N5531	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 75V V(BR)CEO \| 5A I(C) \| TO-5	获取价格
2N5533	NJSEMI	RADIATION RESISTANT SILICON NPN POWER TRANSISTOR	获取价格
2N5534	NJSEMI	Trans GP BJT NPN 130V 20A 3-Pin TO-63	获取价格
2N5535	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 50V V(BR)CEO \| 20A I(C) \| TO-210AC	获取价格

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