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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | POST/STUD MOUNT, O-MUPM-D3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.55 | 最大集电极电流 (IC)： | 70 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 100 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 10 | JEDEC-95代码： | TO-114 |
| JESD-30 代码： | O-MUPM-D3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | POST/STUD MOUNT | 极性/信道类型： | NPN |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 350 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | SOLDER LUG | 端子位置： | UPPER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 10 MHz |
| VCEsat-Max： | 1.8 V |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N5251 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 150V V(BR)CEO | 90A I(C) | STR-1/2 |
|
| 2N5252 | SEME-LAB |
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Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO39 Metal Package |
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| 2N5253 | SEME-LAB |
获取价格 |
BIPOLAR NPN DEVICE IN A HERMETICALLY SEALED TO39 METAL PACKAGE |
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| 2N5255 | ETC |
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SILICON DUAL DIFFERNTIAL AMPLIFIER TRANSISTORS |
|
| 2N5256 | ETC |
获取价格 |
SILICON DUAL DIFFERNTIAL AMPLIFIER TRANSISTORS |
|
| 2N525A | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 30V V(BR)CEO | 500MA I(C) | TO-5 |
|
| 2N526 | NJSEMI |
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PNP germanium transistor for switching and ampli-fier applications in the audio-frequency |
|
| 2N5260 | ETC |
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TRIAC|1KV V(DRM)|200A I(T)RMS|TO-209AB |
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| 2N5262 | CENTRAL |
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Small Signal Transistors |
|
| 2N5262 | NJSEMI |
获取价格 |
BJT |
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