是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | TO-5 |
包装说明: | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.29.00.95 | 风险等级: | 5.85 |
最大集电极电流 (IC): | 1 A | 集电极-发射极最大电压: | 300 V |
最小直流电流增益 (hFE): | 40 | JEDEC-95代码: | TO-5 |
JESD-30 代码: | O-MBCY-W3 | JESD-609代码: | e0 |
端子数量: | 3 | 封装主体材料: | METAL |
封装形状: | ROUND | 封装形式: | CYLINDRICAL |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | NPN |
认证状态: | Not Qualified | 表面贴装: | NO |
端子面层: | TIN LEAD | 端子形式: | WIRE |
端子位置: | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
2N5253 | SEME-LAB | BIPOLAR NPN DEVICE IN A HERMETICALLY SEALED TO39 METAL PACKAGE |
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2N5255 | ETC | SILICON DUAL DIFFERNTIAL AMPLIFIER TRANSISTORS |
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2N5256 | ETC | SILICON DUAL DIFFERNTIAL AMPLIFIER TRANSISTORS |
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2N525A | ETC | TRANSISTOR | BJT | PNP | 30V V(BR)CEO | 500MA I(C) | TO-5 |
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2N526 | NJSEMI | PNP germanium transistor for switching and ampli-fier applications in the audio-frequency |
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2N5260 | ETC | TRIAC|1KV V(DRM)|200A I(T)RMS|TO-209AB |
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