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2N5265

更新时间: 2024-01-11 15:07:37
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NJSEMI 晶体小信号双极晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 157K
描述
DRAIN-SOURCE VOLTAGE

2N5265 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:ActiveReach Compliance Code:unknown
风险等级:5.38Is Samacsys:N
配置:SINGLEFET 技术:JUNCTION
JEDEC-95代码:TO-72JESD-30 代码:O-MBCY-W4
元件数量:1端子数量:4
工作模式:DEPLETION MODE最高工作温度:200 °C
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:CYLINDRICAL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):0.2 W
认证状态:Not Qualified子类别:FET General Purpose Small Signal
表面贴装:NO端子形式:WIRE
端子位置:BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

2N5265 数据手册

  

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