是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Active | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.38 | Is Samacsys: | N |
配置: | SINGLE | FET 技术: | JUNCTION |
JEDEC-95代码: | TO-72 | JESD-30 代码: | O-MBCY-W4 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 4 |
工作模式: | DEPLETION MODE | 最高工作温度: | 200 °C |
封装主体材料: | METAL | 封装形状: | ROUND |
封装形式: | CYLINDRICAL | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | P-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 0.2 W |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | FET General Purpose Small Signal |
表面贴装: | NO | 端子形式: | WIRE |
端子位置: | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | AMPLIFIER | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
2N5266 | NJSEMI |
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DRAIN-SOURCE VOLTAGE |
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2N5267 | NJSEMI |
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DRAIN-SOURCE VOLTAGE |
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2N5268 | NJSEMI |
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DRAIN-SOURCE VOLTAGE |
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2N5269 | NJSEMI |
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DRAIN-SOURCE VOLTAGE |
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2N526A | NJSEMI |
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Trans GP BJT PNP 0.5A |
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2N527 | NJSEMI |
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PNP germanium transistor for switching and ampli-fier applications in the audio-frequency |
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2N5270 | NJSEMI |
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DRAIN-SOURCE VOLTAGE |
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2N5279 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 300V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-5 |
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2N527A | NJSEMI |
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Trans GP BJT PNP 0.5A |
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2N5281 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 150V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-5 |
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