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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | TO-220AB, 3 PIN | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.27 | Is Samacsys： | N |
| 最大集电极电流 (IC)： | 4 A | 集电极-发射极最大电压： | 75 V |
| 配置： | Single | 最小直流电流增益 (hFE)： | 30 |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e0 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 140 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | NPN |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 36 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 0.8 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N5291 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Metal, 3 Pin |
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| 2N5291 | NJSEMI |
获取价格 |
Trans GP BJT PNP 100V 10A 3-Pin TO-61 |
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| 2N5292 | NJSEMI |
获取价格 |
Trans GP BJT NPN 40V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Box |
|
| 2N5293 | TI |
获取价格 |
TRANSISTOR,BJT,NPN,75V V(BR)CEO,4A I(C),TO-220AB |
|
| 2N5293 | NJSEMI |
获取价格 |
Trans GP BJT NPN 40V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Box |
|
| 2N5293 | ISC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistors |
|
| 2N5293 | JMNIC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistors |
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| 2N5293 | SAVANTIC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistors |
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| 2N5294 | RECTRON |
获取价格 |
TO-220 - Power Transistors and Darlingtons |
|
| 2N5294 | ASI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin |
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