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2N5293

更新时间： 2024-09-25 06:16:39

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锦美电子 - JMNIC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	47K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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2N5293 数据手册

Product Specification

www.jmnic.com

Silicon NPN Power Transistors

2N5293 2N5295 2N5297

DESCRIPTION

··With TO-220 package

·High power dissipation

APPLICATIONS

·Power amplifier and medium speed

switching applications

PINNING

DESCRIPTION

Base

Collector;connected to

mounting base

Emitter

Absolute maximum ratings(Ta=25℃)

SYMBOL

PARAMETER

CONDITIONS

VALUE

UNIT

2N5293

2N5295

2N5297

2N5293

2N5295

2N5297

V_CBO

Collector-base voltage

Open emitter

V_CEO

Collector-emitter voltage

Open base

V_EBO

I_C

Emitter-base voltage

Collector current

Open collector

I_B

Base current

P_T

T_j

Total power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_C=25℃

℃

150

-65~150

T_stg

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

MAX

UNIT

R_{th j-c}

Thermal resistance from junction to case

3.47

℃/W

JMnic

12 3

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