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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.92 |
| FET 技术： | JUNCTION | JESD-609代码： | e0 |
| 最高工作温度： | 200 °C | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.2 W | 子类别： | FET General Purpose Small Signal |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N5279 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 300V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-5 |
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| 2N527A | NJSEMI |
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Trans GP BJT PNP 0.5A |
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| 2N5281 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 150V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-5 |
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| 2N5282 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 300V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-5 |
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| 2N5284 | NJSEMI |
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Trans GP BJT NPN 100V 5A 3-Pin TO-59 |
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| 2N5285 | APITECH |
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Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-111, Metal, |
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| 2N5285 | NJSEMI |
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Trans GP BJT NPN 100V 5A 3-Pin TO-59 |
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| 2N5286 | APITECH |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-111, Metal, |
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| 2N5286 | NJSEMI |
获取价格 |
Trans GP BJT PNP 100V 5A 3-Pin TO-59 |
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| 2N5287 | NJSEMI |
获取价格 |
Trans GP BJT PNP 100V 5A 3-Pin TO-59 |
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