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2N490-PBF

更新时间： 2024-11-28 21:19:31
品牌 Logo 应用领域
DIGITRON 开关晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 677K
描述
Unijunction Transistor

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2N490-PBF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：CYLINDRICAL, O-MBCY-W3Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.57配置：SINGLE
最大发射极电流：70 mA最大本征偏离比：0.62
最小本征偏离比：0.51JEDEC-95代码：TO-5
JESD-30 代码：O-MBCY-W3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：140 °C
最低工作温度：-65 °C封装主体材料：METAL
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
最大峰点电流：12 mA峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
最大功率耗散 (Abs)：0.45 W最大基极间静态电阻：9.1 k Ω
最小基极间静态电阻：6.2 k Ω表面贴装：NO
端子形式：WIRE端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON最小谷点电流：8 mA
Base Number Matches：1

2N490-PBF 数据手册

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2N489(A,B)-2N494(A,B)  
SILICON UNIJUNCTION TRANSISTORS  
High-reliability discrete products  
and engineering services since 1977  
FEATURES  
•
•
•
•
•
•
Available as “HR” (high reliability) screened per MIL-PRF-19500, JANTX level. Add “HR” suffix to base part number.  
Available as non-RoHS (Sn/Pb plating), standard, and as RoHS by adding “-PBF” suffix.  
Stable operation over wide temperature range  
Low leakage current  
Low peak point current  
Guaranteed minimum pulse voltage  
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Value  
450mW  
Total RMS Power Dissipation (Unstabilized)  
Total RMS Power Dissipation (Stabilized)  
RMS Emitter Current  
600mW  
70mA  
Peak Emitter Current (TJ = 150°C)  
Emitter Reverse Voltage (TJ = 150°C)  
Operating Temperature Range  
2 A  
60 V  
-65° to +140°C  
-65° to +175°C  
-65° to +175°C  
Operating Temperature Range (Stabilized)  
Storage Temperature Range  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwise specified)  
Maximum  
Minimum  
Valley  
Intrinsic  
standoff  
ratio (1)  
Modulated  
interbase  
current  
Interbase  
Emitter  
saturation  
voltage  
Peak  
point  
current  
Emitter reverse  
current  
resistance (2)  
point  
current  
Base one  
peak  
TJ =  
150°C  
pulse  
RB2  
100Ω  
=
VB2E  
=
60V  
Part  
number  
IR = 50mA  
VBB = 10V  
IE = 50mA  
VBB = 10V  
VB2E  
=30V  
voltage (3)  
VBB = 3V  
VBB = 25V  
VB2E  
=
VRR = 10V  
VBB = 20V  
10V  
RBBO  
IB2(MOI)  
mA  
VE(SAT)  
Volts  
IEB2O  
µA  
IEB2O  
IEB2O  
µA  
IP  
IV  
VOB1  
ŋ
kΩ  
µA  
µA  
mA  
Volts  
Min  
Max  
.62  
.62  
.62  
.62  
.62  
.62  
.62  
.68  
.68  
.68  
.68  
.68  
.68  
Min  
4.7  
4.7  
4.7  
6.2  
6.2  
6.2  
6.2  
4.7  
4.7  
4.7  
6.2  
6.2  
6.2  
Max  
6.8  
6.8  
6.8  
9.1  
9.1  
9.1  
9.1  
6.8  
6.8  
6.8  
9.1  
9.1  
9.1  
Min  
6.8  
6.8  
6.8  
6.8  
6.8  
6.8  
6.8  
6.8  
6.8  
6.8  
6.8  
6.8  
6.8  
Max  
22  
22  
22  
22  
22  
22  
22  
22  
22  
22  
22  
22  
22  
2N489  
.51  
.51  
.51  
.51  
.51  
.51  
.51  
.56  
.56  
.56  
.56  
.56  
.56  
5
4
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
20  
20  
20  
20  
20  
20  
20  
20  
20  
20  
20  
20  
20  
-
12  
12  
6
8
8
8
8
8
8
8
8
8
8
8
8
8
-
2N489A  
2N489B  
2N490  
-
3
3
-
4
0.2  
5
-
12  
12  
6
2N490A  
2N490B  
2N490C  
2N491  
4
-
0.2  
0.02  
-
3
3
3
-
4
4
2
5
12  
12  
6
2N491A  
2N491B  
2N492  
4.3  
4.3  
5
-
3
3
-
0.2  
-
12  
12  
6
2N492A  
2N492B  
4.3  
4.3  
-
3
3
0.2  
Rev. 20180710  
1234567

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