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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Active |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.76 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 4 A | 集电极-发射极最大电压： | 40 V |
| 配置： | SINGLE | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 极性/信道类型： | NPN |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N4910LEADFREE | CENTRAL |
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Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-66, Metal, 2 |
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| 2N4910X | SEME-LAB |
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NPN EPITAXIAL POWER TRANSISTOR IN TO66 HERMETIC PACKAGE |
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| 2N4910X_03 | SEME-LAB |
获取价格 |
NPN EPITAXIAL POWER TRANSISTOR IN TO66 HERMETIC PACKAGE |
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| 2N4910XSMD | SEME-LAB |
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Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed |
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| 2N4910XSMD05 | SEME-LAB |
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Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed |
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| 2N4911 | NJSEMI |
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MEDIUM-POWER NPN SILICON TRANSISTORS |
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| 2N4911 | CENTRAL |
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Power Transistors |
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| 2N4911 | ISC |
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Silicon NPN Power Transistor |
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| 2N4911 | ASI |
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Transistor |
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| 2N4911LEADFREE | CENTRAL |
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Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-66, Metal, 2 |
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