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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N4914_09 | SEME-LAB |
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SILICON EPITAXIAL |
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| 2N4914LEADFREE | CENTRAL |
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Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 P |
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| 2N4914MP | NJSEMI |
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Trans GP BJT NPN 60V 5A 3-Pin(2+Tab) TO-3 Sleeve |
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| 2N4915 | SEME-LAB |
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SILICON EPITAXIAL NPN TRANSISTOR |
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| 2N4915 | ISC |
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isc Silicon NPN Power Transistors |
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| 2N4915 | SAVANTIC |
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Silicon NPN Power Transistors |
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| 2N4915 | CENTRAL |
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COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS |
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| 2N4915 | NJSEMI |
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NPN POWER TRANSISTORS |
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| 2N4915LEADFREE | CENTRAL |
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Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 P |
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| 2N4916 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 30V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-106VAR |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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