是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 包装说明: | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
Reach Compliance Code: | not_compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.29.00.95 | 风险等级: | 5.23 |
最大集电极电流 (IC): | 1 A | 基于收集器的最大容量: | 100 pF |
集电极-发射极最大电压: | 40 V | 配置: | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE): | 20 | JEDEC-95代码: | TO-126 |
JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 | JESD-609代码: | e3 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
最高工作温度: | 150 °C | 最低工作温度: | -65 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
极性/信道类型: | PNP | 最大功率耗散 (Abs): | 30 W |
认证状态: | Not Qualified | 表面贴装: | NO |
端子面层: | Matte Tin (Sn) | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 10 |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
标称过渡频率 (fT): | 3 MHz | VCEsat-Max: | 0.6 V |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
MJE350G | ONSEMI |
功能相似 |
Plastic Medium Power PNP Silicon Transistor |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
2N4919 | ONSEMI |
获取价格 |
GENERAL.PURPOSE POWER TRANSISTORS | |
2N4919 | SAVANTIC |
获取价格 |
Silicon PNP Power Transistors | |
2N4919 | ISC |
获取价格 |
Silicon PNP Power Transistors | |
2N4919 | NJSEMI |
获取价格 |
MEDIUM-POWER PLASTIC PNP SILICON TRANSISTORS | |
2N4919G | ONSEMI |
获取价格 |
Medium-Power Plastic PNP | |
2N4919LEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plastic/ | |
2N491A | NJSEMI |
获取价格 |
Diode | |
2N491B | NJSEMI |
获取价格 |
Diode | |
2N491BHR | DIGITRON |
获取价格 |
Unijunction Transistor | |
2N491B-PBF | DIGITRON |
获取价格 |
Unijunction Transistor |