5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 2N4921G
2N4921G PDF预览

2N4921G

更新时间： 2024-11-26 03:56:15
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 91K
描述
Medium−Power Plastic NPN Silicon Transistors

阅读下载

中文翻译

获取价格

2N4921G 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
零件包装代码：TO-225包装说明：ROHS COMPLIANT, PLASTIC, CASE 77-09, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：0.69
最大集电极电流 (IC)：3 A集电极-发射极最大电压：40 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：10
JEDEC-95代码：TO-225JESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：30 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：3 MHz
Base Number Matches：1

2N4921G 数据手册

 浏览型号2N4921G的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2N4921G的Datasheet PDF文件第3页浏览型号2N4921G的Datasheet PDF文件第4页浏览型号2N4921G的Datasheet PDF文件第5页浏览型号2N4921G的Datasheet PDF文件第6页 
2N4921, 2N4922, 2N4923  
2N4923 is a Preferred Device  
Medium−Power Plastic  
NPN Silicon Transistors  
These high−performance plastic devices are designed for driver  
circuits, switching, and amplifier applications.  
Features  
http://onsemi.com  
• Low Saturation Voltage − V  
= 0.6 Vdc (Max) @ I = 1.0 A  
C
CE(sat)  
1.0 AMPERE  
• Excellent Power Dissipation Due to Thermopad Construction −  
P = 30 W @ T = 25_C  
D
C
GENERAL PURPOSE  
POWER TRANSISTORS  
40−80 VOLTS, 30 WATTS  
• Excellent Safe Operating Area  
• Gain Specified to I = 1.0 A  
C
• Complement to PNP 2N4918, 2N4919, 2N4920  
• Pb−Free Packages are Available*  
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Symbol  
Value  
Unit  
Collector−Emitter Voltage  
2N4921  
2N4922  
2N4923  
V
40  
60  
80  
Vdc  
CEO  
TO−225  
CASE 77  
STYLE 1  
Collector−Emitter Voltage  
Emitter Base Voltage  
2N4921  
2N4922  
2N4923  
V
40  
60  
80  
Vdc  
CB  
EB  
3
2
1
V
5.0  
Vdc  
Adc  
MARKING DIAGRAM  
Collector Current − Continuous (Note 1)  
I
1.0  
3.0  
C
Base Current − Continuous  
I
1.0  
Adc  
B
1
Total Power Dissipation @ T = 25_C  
P
30  
0.24  
W
C
D
YWW  
2
N492xG  
Derate above 25_C  
mW/_C  
_C  
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
T , T  
J
–65 to +150  
stg  
THERMAL CHARACTERISTICS (Note 2)  
Y
= Year  
Characteristic  
Symbol  
Max  
Unit  
WW  
= Work Week  
Thermal Resistance, Junction−to−Case  
q
4.16  
_C/W  
JC  
2N492x = Device Code  
x = 1, 2, or 3  
G
Maximum ratings are those values beyond which device damage can occur.  
Maximum ratings applied to the device are individual stress limit values (not  
normal operating conditions) and are not valid simultaneously. If these limits are  
exceeded, device functional operation is not implied, damage may occur and  
reliability may be affected.  
= Pb−Free Package  
ORDERING INFORMATION  
1. The 1.0 A maximum I value is based upon JEDEC current gain requirements.  
C
Device  
Package  
Shipping  
The 3.0 A maximum value is based upon actual current handling capability of  
the device (see Figures 5 and 6).  
2. Recommend use of thermal compound for lowest thermal resistance.  
2N4921  
TO−225  
500 Units / Box  
500 Units / Box  
2N4921G  
TO−225  
(Pb−Free)  
*Indicates JEDEC Registered Data.  
2N4922  
TO−225  
500 Units / Box  
500 Units / Box  
2N4922G  
TO−225  
(Pb−Free)  
2N4923  
TO−225  
500 Units / Box  
500 Units / Box  
2N4923G  
TO−225  
(Pb−Free)  
*For additional information on our Pb−Free strategy and soldering details, please  
download the ON Semiconductor Soldering and Mounting Techniques  
Reference Manual, SOLDERRM/D.  
Preferred devices are recommended choices for future use  
and best overall value.  
©
Semiconductor Components Industries, LLC, 2006  
1
Publication Order Number:  
January, 2006 − Rev. 11  
2N4921/D  
 
123456

中文翻译

下载PDF

2N4921G 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
2N4921 ONSEMI

完全替代

 1 AMPERE GENERAL PURPOSE POWER TRANSISTORS 30 WATTS
NTE184 NTE

功能相似

 Silicon Complementary Transistors Audio Power Amp, Switch

与2N4921G相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2N4921LEADFREE CENTRAL

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/
2N4922 ONSEMI

获取价格

 		1 AMPERE GENERAL PURPOSE POWER TRANSISTORS 30 WATTS
2N4922 SAVANTIC

获取价格

 		Silicon NPN Power Transistors
2N4922 ISC

获取价格

 		Silicon NPN Power Transistors
2N4922 JMNIC

获取价格

 		Silicon NPN Power Transistors
2N4922 NJSEMI

获取价格

 		MEDIUM-POWER PLASTIC NPN SILICON TRANSISTORS
2N4922G ONSEMI

获取价格

 		Medium−Power Plastic NPN Silicon Transistors
2N4923 JMNIC

获取价格

 		Silicon NPN Power Transistors
2N4923 ISC

获取价格

 		Silicon NPN Power Transistors
2N4923 SAVANTIC

获取价格

 		Silicon NPN Power Transistors

与2N4921G相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证