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2N4926

更新时间: 2024-11-04 20:17:23
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美国国家半导体 - NSC /
页数 文件大小 规格书
1页 35K
描述
TRANSISTOR,BJT,PNP,200V V(BR)CEO,50MA I(C),TO-39

2N4926 技术参数

是否Rohs认证:不符合生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:compliant风险等级:5.03
Is Samacsys:N最大集电极电流 (IC):0.05 A
配置:Single最小直流电流增益 (hFE):15
JESD-609代码:e0最高工作温度:175 °C
极性/信道类型:PNP最大功率耗散 (Abs):5 W
子类别:Other Transistors表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)Base Number Matches:1

2N4926 数据手册

  

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