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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.03 |
| Is Samacsys： | N | 最大集电极电流 (IC)： | 0.05 A |
| 配置： | Single | 最小直流电流增益 (hFE)： | 15 |
| JESD-609代码： | e0 | 最高工作温度： | 175 °C |
| 极性/信道类型： | PNP | 最大功率耗散 (Abs)： | 5 W |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N4927LEADFREE | CENTRAL |
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Small Signal Bipolar Transistor, 250V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-39, TO-39, 3 P |
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| 2N4928 | CENTRAL |
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PNP SILICON TRANSISTOR |
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| 2N4928 | SEME-LAB |
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Bipolar PNP Device |
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| 2N4928 | NJSEMI |
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HIGH-VOLTAGE PNP SILICON ANNULAR TRANSISTORS |
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| 2N4928CSM | SEME-LAB |
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GENERAL PURPOSE TRANSISTOR IN A HERMETICALLY SEALED |
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| 2N4928DCSM | SEME-LAB |
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Dual Bipolar PNP Devices in a hermetically sealed |
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| 2N4929 | CENTRAL |
获取价格 |
PNP SILICON TRANSISTOR |
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| 2N4929 | SEME-LAB |
获取价格 |
Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed TO39 |
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| 2N4929 | NJSEMI |
获取价格 |
HIGH-VOLTAGE PNP SILICON ANNULAR TRANSISTORS |
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| 2N4929LEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
暂无描述 |
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