5秒后页面跳转
2N4928 PDF预览

2N4928

更新时间: 2024-02-27 05:51:31
品牌 Logo 应用领域
NJSEMI 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 192K
描述
HIGH-VOLTAGE PNP SILICON ANNULAR TRANSISTORS

2N4928 技术参数

是否无铅:含铅是否Rohs认证:不符合
生命周期:Active零件包装代码:LCC
包装说明:SMALL OUTLINE, R-CDSO-N6针数:6
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
风险等级:5.15Is Samacsys:N
最大集电极电流 (IC):0.1 A集电极-发射极最大电压:100 V
配置:SEPARATE, 2 ELEMENTS最小直流电流增益 (hFE):20
JEDEC-95代码:MO-041BBJESD-30 代码:R-CDSO-N6
元件数量:2端子数量:6
封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:PNP认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES端子形式:NO LEAD
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):100 MHz
Base Number Matches:1

2N4928 数据手册

 浏览型号2N4928的Datasheet PDF文件第2页 

与2N4928相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
2N4928CSM SEME-LAB GENERAL PURPOSE TRANSISTOR IN A HERMETICALLY SEALED

获取价格

2N4928DCSM SEME-LAB Dual Bipolar PNP Devices in a hermetically sealed

获取价格

2N4929 CENTRAL PNP SILICON TRANSISTOR

获取价格

2N4929 SEME-LAB Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed TO39

获取价格

2N4929 NJSEMI HIGH-VOLTAGE PNP SILICON ANNULAR TRANSISTORS

获取价格

2N4929LEADFREE CENTRAL 暂无描述

获取价格